第三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料,碳化硅 具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,广泛应用于制作高温、高频、大功率和 抗辐射电子器件。
碳化硅器件应用场景广阔。因其高热导性、高击穿电场强度及高电流密度,基 于碳化硅材料的半导体器件可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机 械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化,是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。
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