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1.富士电机投资100亿元！强化功率半导体产能

据报道，富士电机将在2024～2026年度的3年内向半导体领域投资2000亿日元（约合人民币100亿元）规模。重点将放在用于纯电动汽车(EV)电力控制等的功率半导体上，计划在日本国内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线，提高产能。意在抓住不断扩大的需求，带动下一个增长。

据悉，与此前用作半导体材料的硅相比，碳化硅在高硬度和耐久性方面表现突出，能够承受高电压和高电流。

在截至2023年度的为期5年的现有中期经营计划中，富士电机一直以每年400亿日元的速度在半导体领域展开投资。从2024年度开始的3年新中期经营计划将改为每年700亿日元，加速投资。

具体来说，富士电机将在松本工厂(长野县松本市)建设“光刻前工程”生产线。将在2027年度以后开始生产使用8英寸大型晶圆的碳化硅功率半导体。富士电机计划从2024年度开始在津轻工厂(青森县五所川原市)量产6英寸碳化硅功率半导体。通过进一步扩大晶圆尺寸，可用一块晶圆切割的芯片数量将随之增加，有望提高生产效率。

2.高塔半导体：重新提交在印度建厂方案

据报道，Tower Semiconductor 重新提交了在印度建立65纳米和40纳米芯片半导体制造工厂的提案。然而，据《经济时报》(ET) 报道，此举引发了其前合资伙伴 Next Orbit Ventures 的法律诉讼，该公司正在探索起诉 Tower Semiconductor 与其他合作伙伴提交新提案的选择。

正如business-standard早些时候报道的那样，由首席执行官 Russell C Ellwanger 领导的 Tower 管理团队于 10 月底会见了四到五家印度公司以及信息技术和电子国务部长 Rajeev Chandrasekhar。

据ET报道，Tower Semiconductor 的最新提案可能涉及与包装和标签产品主要制造商 BC Jindal 集团建立合作伙伴关系。BC Jindal 集团已承认正在研究半导体提案，但没有提供更多细节。这标志着Tower 半导体公司第二次尝试在印度建立半导体芯片制造厂。

Tower Semiconductor 进军印度市场的最初举措是与国际半导体联盟 (SIMC) Analog Fab Private 成立合资企业。然而，尽管拟议投资 30 亿美元，但该合资企业仍面临挑战，并未取得进展。

当前的提议使与 Next Orbit Ventures 的关系变得紧张，后者声称尽管签署了保密协议 (NDA) 并与 Tower 事先达成协议，但仍被排除在新的合作伙伴关系之外。

Next Orbit Ventures 正在寻求法律顾问并考虑对 Tower Semiconductor 采取法律行动。这场争议围绕着一项据称的谅解展开，即如果 Tower 在印度设立晶圆厂，Next Orbit Ventures 将成为合作伙伴。法律讨论涉及对新合作伙伴关系的潜在禁令以及基于 Next Orbit Ventures 为推进 Tower 在印度晶圆厂雄心的投资而提出的损害赔偿索赔。

相关各方之间的法律讨论正在进行中。不过，相关各方均未对此事发表任何官方评论。

Tower Semiconductor 之前计划在班加罗尔建设价值 30 亿美元的工厂。

去年，Tower Semiconductor 宣布计划在卡纳塔克邦班加罗尔建立一座耗资 30 亿美元的工厂。该项目由以色列Tower Semiconductor 和印度Next Orbit Ventures 合资，代号为国际半导体联盟（ISMC）。

ISMC 是印度政府为在该国建立半导体制造而提供的 100 亿美元激励计划的三个申请人之一。ISMC 的班加罗尔工厂预计将创造 1500 个直接就业机会和 10,000 个间接就业机会，并为印度的硅制造奠定基础。

然而，当英特尔宣布有兴趣以 54 亿美元收购 Tower Semiconductor 时，该计划很快就遇到了阻碍。双方均同意该交易，这导致 Tower 计划的重点发生重大转变，其中包括其印度制造工厂。

印度甚至在启动之前就即将失去其主要半导体项目之一。但事情再次发生了转变，英特尔以监管问题为由正式退出了这笔交易。因此，Tower 回到了原来的计划，并寻求继续其在印度的扩张计划。