作为第三代半导体材料的代表之一,SiC近几年的发展突飞猛进,SiC器件具有的高耐压、低导通电阻和高频的特性,使其在包括新能源汽车充电与驱动、光伏/风电逆变器、电力电子变压器等领域中的应用越来越广泛。
尤其新能源汽车将是未来市场空间巨大的一个新兴市场,它使用的半导体器件的价值在不断增加,其中功率器件的增长尤为显著。根据英飞凌公司的统计,新能源汽车中功率器件将由原来的17美元增加至265美元,增加近15倍。咨询机构TrendForce预估2025年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。
在光伏发电应用中,SiC器件的应用可使转换效率从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,还能缩小系统体积、增加功率密度以及降低生产成本。
图1:光伏逆变器中碳化硅功率器件占比预测
根据Yole Intelligence 2023年发布的SiC功率器件报告,预计到2028年,全球SiC功率器件市场将增长至约90亿美元,相比2022年增长了31%。虽然汽车应用将是SiC功率器件的主要应用市场,但工业、能源和铁路等其它应用的增长势头也不可小觑。
而且由于疫情和地缘政治等因素的影响,保证半导体供应链的安全变得越来越重要。所有的国家和地区,包括中国、欧洲、美国等,都启动了类似的“芯片法案”,以建立各自独立的半导体供应链。
第三代半导体(包括SiC、GaN等)因为可以让电子设备和系统实现更小尺寸、更轻重量以及更高效能,特别是在高功率、高频或是高温的应用中,也让全球能够更快地朝实现碳中和的目标迈进,这使得它将在未来半导体领域的发展中发挥至关重要的作用。
成本是关键
虽然SiC器件具有诸多优势,但成本仍是其能否被广泛应用的一个主要影响因素。
众所周知,目前的SiC主要以6英寸衬底为主,根据TrendForce的数据,其市场份额达到了80%,8英寸衬底目前仅占6%的市场份额。而降低SiC器件成本的一个关键就是要转向更大的衬底尺寸。目前许多国内和国际厂商都紧锣密鼓地进行8英寸SiC衬底的开发。
国际厂商中,目前Wolfspeed已经实现8英寸SiC衬底的量产,其它厂商的量产节点则多定为2023年左右,但目前似乎还没有进一步的消息。
同时,这些国际厂商也在逐渐补齐他们的衬底版图,如意法半导体收购了Norstel、罗姆收购了SiCrystal、安森美收购了GTAT。SiC衬底成为兵家必争之地。
TrendForce也表示:“SiC衬底的成本约占SiC器件总生产成本的约45%,从6英寸转变至8英寸将促进SiC器件能被更广泛地采用。”
五大厂商主宰SiC功率半导体市场
目前的SiC功率半导体市场主要由海外公司主宰,国内的公司仍是“追随者”。根据TrendForce的数据,2022年前五大SiC功率半导体公司分别为意法半导体(36.5%)、英飞凌(17.9%)、Wolfspeed(16.3%)、安森美(11.6%)和罗姆半导体(8.1%),其余公司仅占9.6%。前五大公司占据了超过90%以上的市场份额。
这些公司也在2022年实现了创纪录的营收,他们也对未来几年的SiC市场雄心勃勃,期望在SiC领域能够实现进一步的营收增长。意法半导体设立的目标是在2030年SiC的收入超过50亿美元。英飞凌在去年宣布投资50亿欧元扩建其在马来西亚居林的8英寸SiC芯片厂,以助力其实现2025财年SiC营收超10亿欧元的目标。罗姆也计划兴建新工厂,目标是在2025年将SiC功率半导体月产能(以6英寸晶圆换算)提高至2021年的6.5倍,2023年进一步扩增至35倍。
毫无疑问,第三代半导体材料将是未来半导体领域的一个关键市场,也是兵家必争之地。目前该领域由国外厂商主宰,国内厂商仍扮演着追赶者的角色。但SiC的主要应用市场之一——新能源汽车,在国内的发展可谓日新月异,乘着这一股东风,国内SiC企业需要加速创新,稳步发展,相信未来在SiC功率半导体领域也会占据一席之地。